沉积温度相关论文
钙钛矿过渡金属氧化物材料因具有高缺陷迁移速度、低缺陷迁移势垒的特点,在高性能存储器件领域极具研究空间。钙钛矿结构的Sr Co O......
高能脉冲磁控溅射技术（HIPIMS）以峰值功率密度高，金属离化率高为特点，较传统直流磁控溅射（DCMS）具有其独有的优势。将高能脉冲磁控溅射（HI......
研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ......
利用高k介电薄膜材料替代传统的SiO2栅介质层是满足发展亚0.1μm以下尺寸的超大规模集成电路的要求，是目前微电子领域的研究热点之......
二氧化硅（SiO2）是一种重要的光学薄膜材料，通常采用电子束蒸发辅以离子束轰击的方式沉积，但在某些情况下，不能借用氧离子束的轰击。着重......
本文报告了采用微波等离子体进行化学气相沉积氮化钛(TiN)的工作。文中讨论了微波等离子体的动力学效应和热力学效应并阐述了氢在......
以纯度为99.99%氧化锌铝(w(Zn O)=98.00wt%,w(Al_2O_3)=2.00wt%)陶瓷靶为原料,利用直流磁控溅射法在普通白玻璃衬底上制备铝掺杂氧......
本文较详细地介绍了用化学气相沉积(CVD)方法制取钨制品,如钨管、W-Re合金管、毛细管、棒材等的设备与工艺,化学气相沉积涂层金属......
高浓度的掺铒光纤在光传输以及光纤相关器件中都发挥着重要的作用。结合改进化学气相沉淀法(MCVD)的特点,采用“在线”溶液掺杂法......
利用有限元分析软件ANSYS对蓝宝石基GaN薄膜的应力进行了模拟分析,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了蓝宝石基GaN薄膜应力的......
高反膜的抗激光损伤特性严重影响着激光系统中激光器有效输出功率的提高。因此提高高反膜的抗激光损伤特性就成为了关键。在真空箱......
采用脉冲激光沉积法在透明导电(ITO)玻璃衬底上制备(Bi,Er)_2Ti_2O_7介电薄膜。当沉积温度范围控制在500~600℃时,均可获得纯度较......
本文针对PERC(钝化发射极背面接触)电池生产中,常压氧化制备氧化层热氧亲水性较差的问题,通过优化调整常压氧化工艺沉积温度,并经......
金刚石涂层硬质合金刀具既表现出金刚石高的硬度和耐磨性,也表现出硬质合金良好的抗冲击性和强韧性,是加工铝合金、纤维或陶瓷复合......
学位
通过原子层沉积技术在熔石英玻璃表面制备了同质材料的单层SiO2薄膜,对光学薄膜的物理化学性质和强激光辐照下的激光诱导损伤性能......
超级电容器,又称电化学电容器,其因高功率密度、长使用寿命、环境友好等优点成为当前储能领域的研究热点。由于其与二次电池相比,......
随着科学技术的迅速发展,航空技术也成为了重点发展领域。航空与国防之间已经密切相关。目前飞行速度的急剧增大导致了机体不同部......
cBN涂层硬质合金刀具具有较高的硬度、耐磨性以及良好的抗冲击性和强韧性,是加工黑色金属材料的理想刀具。目前,国内外对cBN涂层硬......
本文采用磁控共溅射方法在玻璃基片上制备了纯ZnO薄膜、Cu掺杂ZnO薄膜以及铜、氮共掺杂ZnO薄膜,并通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子......
PVD涂层改性技术作为优化工业使用器械表面性能最有成效的方法之一,在实际切削加工过程中发挥着重要作用。AlTiN涂层作为一种硬质......
以天然气为碳源,氢气为载气,通过无催化化学气相沉积的方法,合成不同粒径的球形炭。研究了沉积温度、压力和气体比例对化学气相沉......
讨论了在低温下以高纯金属钒作靶材,用直流磁控溅射的方法制备出了氧化钒薄膜。通过设计正交试验,分析了氩气和氧气的流量比,溅射......
采用原子层沉积技术实现了膜层厚度均匀性小于3.5%的银饰TiO_2保护薄膜的制备。X射线衍射测试结果表明,沉积温度为100℃时薄膜为无......
本文报道在高水汽压(≈4.1×10~(-5)大气压)、低沉积温度(650℃)下,Ga/AsCl_3/H_2汽相外延系统生长的高纯外延层的实测电参数及其......
在集成电路的生产中,已广泛采用氮化硼扩散源、新型片状氮化硼也正被推广应用,用氮化硼做扩散源,具有工艺稳定、易于掌握、扩散电......
本文综述了当前B-C化合物的研究概况,简单介绍了几种制备B-C化合物的常用方法,并概述了目前人们已发现的B-C化合物的各种特性。本......
本文以C2H2和CHF3为源气体在微波ECR-CVD系统中沉积了a-C∶F薄膜，并在500°C真空气氛下进行了热处理。重点研究了沉积温度对薄膜性......
钛酸铋(Bi4Ti3O12，BTO)作为一种典型的铋系层状钙钛矿结构的铁电材料，具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能，在最近十年里成为广......
单壁碳纳米管薄膜具有优异的导电性、透明性和柔性,在大面积薄膜器件方面具有潜在的应用前景。制备高质量、高纯度和大面积的半导......
本课题的目的是在剃须刀片刃口上镀制一层硬质薄膜,以提高刀片的锋利度和使用舒适性,并对所镀制的硬质薄膜工艺参数、性能进行研究......
GaN基LED作为一种新型的半导体发光器件，有着体积小、亮度高、节能、绿色无污染等诸多优势。与传统照明光源相比，LED在电光转换效率......
在本文中,利用磁控溅射法,通过AZO及SiO_2双靶共溅射在石英玻璃表面制备AZO薄膜。在实验过程中通过功率调节,以膜厚为函数制备掺杂......
分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉......
电弧离子镀是真空镀膜技术中最常用的技术之一,目前在科学研究及工业生产中都得到了长足发展.但是在薄膜沉积过程中的工艺参数如弧......
采用ZYGOMarkⅢ GPI数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的ZrO2 薄膜中的残余应力进行了研究 ,讨论了沉积温度、沉积速率等工艺参......
ZrO2 薄膜样品在不同的沉积温度下用电子束蒸发的方法沉积而成。利用X射线衍射 (XRD)仪和原子力显微镜 (AFM)检测了ZrO2 薄膜的晶......
在不同沉积温度(25 ～ 400℃)下,利用射频磁控溅射技术在S i(100)基底上制备了TiN薄膜.采用X射线衍射仪和原子力显微镜研究了沉积温......
SiO2 薄膜由电子束蒸发方法沉积而成。用GPI数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了 ......
采用电子束蒸发沉积方法在BK7玻璃基底和熔融石英基底上沉积了HfO2薄膜,研究了不同沉积温度下的应力变化规律。利用ZYGO干涉仪测量......
采用直流反应磁控溅射工艺在25、300℃沉积温度下分别制备了ZrO2薄膜和YSZ薄膜。结果表明,沉积温度对ZrO2薄膜沉积速率的影响不大,......
期刊
利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(GZO)透明导电薄膜,研究了沉积温度对GZO薄膜的结构、光学和电学性能的影响.......
研究了沉积温度对热舟蒸发氟化镧薄膜结构和光学性能的影响,沉积温度从200℃上升到350℃,间隔为50℃.采用分光光度计测量了样品的......
以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铬为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法在氧化铝(Al_2O_3)陶瓷基板上制备碳化铬(Cr_3C_2)薄膜,其......
